技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 8 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 65 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 8A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750
技术参数/额定功率(Max): 65 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 750
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 65000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.28 mm
外形尺寸/宽度: 4.82 mm
外形尺寸/高度: 9.28 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/重量: 0.004535924 kg
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 工业, Power Management, Industrial, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2016/06/20
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BDX53C
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
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BDX53C
|
Continental Device | 类似代替 | SFM |
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
|
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BDX53C
|
Poinn | 类似代替 |
塑料中功率互补硅晶体管 Plastic Medium-Power Complementary Silicon Transistors
|
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BDX53CTU
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
|
||
BDX53CTU
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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