技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 8.00 A
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 60 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 8A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750 @3A, 3V
技术参数/额定功率(Max): 65 W
技术参数/直流电流增益(hFE): 750
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 60000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tube
其他/最小包装: 50
其他/制造应用: 电机驱动与控制, 电源管理, 工业, 音频
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BDX53C
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
|
||
BDX53C
|
Continental Device | 功能相似 | SFM |
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
|
||
|
BDX53C
|
Poinn | 功能相似 |
STMICROELECTRONICS BDX53C 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 60 W, 8 A, 750 hFE
|
|||
BDX53CG
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON SEMICONDUCTOR BDX53CG 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 65 W, 8 A, 750 hFE
|
||
BDX53CTU
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
|
||
BDX53CTU
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
ON Semiconductor BDX53CTU NPN 达林顿晶体管对, 8 A, Vce=100 V, HFE=750, 3引脚 TO-220封装
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