技术参数/额定电压(DC): 100 V
技术参数/额定电流: 10.0 A
技术参数/额定功率: 80 W
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 80 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 100 V
技术参数/集电极最大允许电流: 10A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 1000 @5A, 4V
技术参数/额定功率(Max): 80 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 80000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 4.83 mm
外形尺寸/高度: 9.4 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
NTE186A
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-202 |
NPN 40V 3A
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NTE2353
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NTE Electronics | 功能相似 | TO-3 |
小信号双极性晶体管
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TIP142T
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ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP142T 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 10 A, 500 hFE
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TIP142T
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP142T 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 10 A, 500 hFE
|
||
TIP142T
|
Central Semiconductor | 完全替代 | TO-220 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP142T 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 10 A, 500 hFE
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TIP142T
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Inchange Semiconductor | 完全替代 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR TIP142T 单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 100 V, 80 W, 10 A, 500 hFE
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