技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 10 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/集电极最大允许电流: 3A
技术参数/直流电流增益(hFE): 50
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-202
外形尺寸/封装: TO-202
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412900951
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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MJE180STU
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-126-3 |
功率 NPN 晶体管，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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Philips (飞利浦) | 类似代替 | SOT-78 |
NXP ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PHE13005
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We En Semiconductor | 类似代替 | TO-220 |
NXP ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PHE13005
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NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-220 |
NXP ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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