技术参数/频率: 500 MHz
技术参数/额定功率: 0.25 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 12 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 40 @10mA, 1V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 电源管理, 便携式器材, 工业
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管
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BSV52
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-236 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管
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Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管
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BSV52
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR BSV52.. 射频双极晶体管
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PUMD10,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363-6 |
Nexperia PUMD10,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装
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PUMD10,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SC-70-6 |
Nexperia PUMD10,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装
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