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型号： PUMD10,115

描述： Nexperia PUMD10,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 2.2 kΩ, 电阻比:0.047, 6引脚 UMT封装

品牌： Nexperia (安世)

封装： SC-70-6

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

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技术参数/耗散功率：	0.3 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：	50 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：	100 @10mA, 5V
技术参数/额定功率(Max)：	300 mW
技术参数/工作温度(Max)：	150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：	-65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：	300 mW
封装参数/安装方式：	Surface Mount
封装参数/引脚数：	6
封装参数/封装：	SC-70-6
外形尺寸/长度：	2.2 mm
外形尺寸/宽度：	1.35 mm
外形尺寸/高度：	1 mm
外形尺寸/封装：	SC-70-6
其他/产品生命周期：	Active
其他/包装方式：	Tape & Reel (TR)
其他/制造应用：	工业, 计算机和计算机周边, 电源管理, 自动化与过程控制, 车用
符合标准/RoHS标准：	RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：	无铅
海关信息/ECCN代码：	EAR99

替代料

型号	品牌	相似度	封装	简介	数据手册
BSV52,215	Nexperia (安世)	功能相似	SOT-23-3	Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装	PDF
DCX123JU-7-F	Diodes Zetex (捷特科)	功能相似	SOT-363	DCX123JU-7-F 编带	PDF
PUMD10,115	NXP (恩智浦)	功能相似	SOT-363-6	NXP PUMD10,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363	PDF
PUMD10,115	Nexperia (安世)	功能相似	SC-70-6	NXP PUMD10,115 双极晶体管阵列, BRT, NPN, PNP, 50 V, 200 mW, 100 mA, 100 hFE, SOT-363	PDF
PUMD10,125	NXP (恩智浦)	类似代替	SOT-363-6	TSSOP NPN+PNP 50V 100mA	PDF