技术参数/额定电压(DC): 12.0 V
技术参数/额定电流: 200 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 12.0 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25
技术参数/直流电流增益(hFE): 40
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23
外形尺寸/长度: 3 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-23
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
其他/制造应用: Portable Devices, Power Management, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BSV52
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Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-236 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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Central Semiconductor | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BSV52
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-23 |
小信号 NPN 晶体管，高达 30V，Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
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BSV52,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
Nexperia BSV52,215 , NPN 晶体管, 100 mA, Vce=12 V, HFE:25, 500 MHz, 3引脚 SOT-23 (TO-236AB)封装
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