技术参数/频率： | 220 MHz |
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技术参数/额定功率： | 0.25 W |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/耗散功率： | 415 mW |
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技术参数/增益频宽积： | 220 MHz |
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技术参数/击穿电压(集电极-发射极)： | 60 V |
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技术参数/最小电流放大倍数(hFE)： | 200 @500mA, 5V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 415 mW |
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技术参数/直流电流增益(hFE)： | 500 |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 415 mW |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | SOT-323-3 |
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外形尺寸/长度： | 2.2 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.35 mm |
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外形尺寸/高度： | 1 mm |
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外形尺寸/封装： | SOT-323-3 |
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物理参数/工作温度： | 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 工业, 信号处理, 车用, 电机驱动与控制, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84-B12,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP BZX84-B12,215 单管二极管 齐纳, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
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DSS4160U-7
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-323 |
DSS4160U 系列 60 V 1 A 低 VCE(SAT) NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-323
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PBSS4160U
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Nexperia (安世) | 功能相似 | UMT |
NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS4160U
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SC-70 |
NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS4160U,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
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PBSS4160U,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
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