封装参数/封装： | UMT |
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外形尺寸/封装： | UMT |
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其他/晶体管类型： | NPN |
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其他/最大直流集电极电流： | 1 A |
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其他/最大集电极-发射极电压： | 60 V |
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其他/封装类型： | UMT |
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其他/安装类型： | 表面贴装 |
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其他/最大功率耗散： | 415 mW |
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其他/最小直流电流增益： | 100 |
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其他/晶体管配置： | 单 |
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其他/最大集电极-基极电压： | 80 V |
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其他/最大发射极-基极电压： | 5 V |
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其他/最大工作频率： | 220 MHz |
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其他/引脚数目： | 3 |
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其他/每片芯片元件数目： | 1 |
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其他/最大基极-发射极饱和电压： | 1.1 V |
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其他/宽度： | 1.35mm |
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其他/尺寸： | 1 x 2.2 x 1.35mm |
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其他/最低工作温度： | -65 °C |
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其他/最大集电极-发射极饱和电压： | 0.28 V |
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其他/最高工作温度： | +150 °C |
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其他/长度： | 2.2mm |
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其他/高度： | 1mm |
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符合标准/RoHS标准： |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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PBSS4160U,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
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PBSS4160U,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
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