技术参数/频率: 220 MHz
技术参数/针脚数: 3
技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 250 mW
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 60 V
技术参数/集电极最大允许电流: 1A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 200 @500mA, 5V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 250 @1mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 415 mW
技术参数/直流电流增益(hFE): 500
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 415 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-323-3
外形尺寸/宽度: 1.35 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: SOT-323-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Signal Processing, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BZX84-B12,215
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-23-3 |
NXP BZX84-B12,215 单管二极管 齐纳, 12 V, 250 mW, TO-236AB, 2 %, 3 引脚, 150 °C
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DSS4160U-7
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Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-323 |
DSS4160U 系列 60 V 1 A 低 VCE(SAT) NPN 表面贴装 晶体管 - SOT-323
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PBSS4160U
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Nexperia (安世) | 功能相似 | UMT |
NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS4160U
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SC-70 |
NPN 晶体管，NXP 一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管，NXP Semiconductors
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PBSS4160U,115
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Nexperia (安世) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
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PBSS4160U,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-323-3 |
Nexperia PBSS4160U,115 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=60 V, HFE:100, 220 MHz, 3引脚 UMT封装
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