技术参数/针脚数： | 2 |
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技术参数/正向电压： | 800mV @100mA |
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技术参数/热阻： | 320℃/W (RθJA) |
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技术参数/反向恢复时间： | 4 ns |
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技术参数/正向电流： | 200 mA |
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技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）： | 5 A |
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技术参数/正向电压(Max)： | 800 mV |
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技术参数/正向电流(Max)： | 200 mA |
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技术参数/工作温度(Max)： | 125 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/工作结温： | 125℃ (Max) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | DO-34 |
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外形尺寸/长度： | 3.04 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 1.6 mm |
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外形尺寸/封装： | DO-34 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | Industrial, Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, 工业, 电源管理, 消费电子产品, 便携式器材 |
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符合标准/RoHS标准： |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BAT42
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Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
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BAT42
|
Multicomp | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
|
||
BAT42
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
|
||
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|
VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-204AH |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
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||
BAT43
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT43 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
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CJ (长电科技) | 功能相似 | SOD-123 |
STMICROELECTRONICS BAT43 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
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BAT85
|
Philips (飞利浦) | 完全替代 | DO-34 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
||
BAT85
|
Philips (飞利浦) | 完全替代 | DO-34 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
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|
|
Changzhou ZhongGuang (常州中光) | 完全替代 | DO-35 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
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BAT85
|
Continental Device | 完全替代 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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|
BAT85
|
Good-Ark Electronics (固锝) | 完全替代 | DO-35 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT85,113
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | DO-34 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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BAT85,113
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | DO-204AG |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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