技术参数/针脚数: 2
技术参数/正向电压: 800mV @100mA
技术参数/热阻: 320℃/W (RθJA)
技术参数/反向恢复时间: 4 ns
技术参数/正向电流: 200 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 5 A
技术参数/正向电压(Max): 800 mV
技术参数/正向电流(Max): 200 mA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/工作结温: 125℃ (Max)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-204AG
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.6 mm
外形尺寸/高度: 1.6 mm
外形尺寸/封装: DO-204AG
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 消费电子产品, 工业, Industrial, Power Management, Portable Devices, Consumer Electronics, 便携式器材, 电源管理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BAT42
|
Taiwan Semiconductor (台湾半导体) | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
|
||
BAT42
|
Multicomp | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
|
||
BAT42
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
|
||
|
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | DO-204AH |
STMICROELECTRONICS BAT42 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 400 mV, 4 A, 125 °C
|
||
BAT43
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT43 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
|
||
|
|
CJ (长电科技) | 功能相似 | SOD-123 |
STMICROELECTRONICS BAT43 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
|
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BAT85
|
Philips (飞利浦) | 完全替代 | DO-34 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
||
BAT85
|
Philips (飞利浦) | 完全替代 | DO-34 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
||
|
|
Changzhou ZhongGuang (常州中光) | 完全替代 | DO-35 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
||
BAT85
|
Continental Device | 完全替代 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
|||
|
BAT85
|
Good-Ark Electronics (固锝) | 完全替代 | DO-35 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
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BAT85,113
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | DO-34 |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
|
||
BAT85,113
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | DO-204AG |
肖特基势垒二极管，200mA 至 500mA，Nexperia 高效 超小薄型表面安装封装 经优化适用于低正向电压降和高结温 低电容 可忽略的功率切换损耗 低漏泄电流
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