技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 200 mA
技术参数/电容: 7.00 pF
技术参数/输出电流: ≤200 mA
技术参数/负载电流: 0.2 A
技术参数/针脚数: 2
技术参数/正向电压: 1V @200mA
技术参数/极性: Standard
技术参数/耗散功率: 200 mW
技术参数/热阻: 300℃/W (RθJA)
技术参数/反向恢复时间: 5 ns
技术参数/正向电流: 200 mA
技术参数/最大正向浪涌电流（Ifsm）: 4 A
技术参数/正向电压(Max): 450 mV
技术参数/正向电流(Max): 200 mA
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/工作结温(Max): 150 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 200 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: DO-35
外形尺寸/长度: 4.5 mm
外形尺寸/宽度: 2 mm
外形尺寸/高度: 2 mm
外形尺寸/封装: DO-35
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: Signal Processing, 射频通信, 信号处理, RF Communications
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BAT43
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | DO-35 |
STMICROELECTRONICS BAT43 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
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CJ (长电科技) | 类似代替 | SOD-123 |
STMICROELECTRONICS BAT43 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 1 V, 4 A, 125 °C
|
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BAT85,113
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | DO-34 |
NXP BAT85,113 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C
|
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BAT85,113
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | DO-204AG |
NXP BAT85,113 小信号肖特基二极管, 单, 30 V, 200 mA, 800 mV, 5 A, 125 °C
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