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5月24日消息，据 ITF World 2023 会议报告，英特尔技术开发总经理 Ann Kelleher 介绍了英特尔在关键领域的最新进展。其中之一便是介绍英特尔未来将采用的堆叠式 CFET 晶体管架构。这是英特尔首次向公众介绍这种新型晶体管设计。
英特尔的 GAA 设计堆叠式 CFET 晶体管架构是在 imec 的帮助下开发的，旨在增加晶体管密度。该设计通过将 n 和 p 两种 MOSFET 器件相互堆叠在一起，并允许堆叠 8 个纳米片（比RibbonFET 使用的 4 个纳米片多一倍）来实现更高的密度。
目前，英特尔正在研究两种类型的 CFET，包括单片式和顺序式，但尚未确定最终采用哪一种。未来应该会有更多细节信息公布。
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