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3月16日，SK海力士旗下8英寸纯晶圆代工厂SK启方半导体（SK keyfoundry）于本月11日正式宣布，已顺利完成450~2300V宽电压范围碳化硅（SiC）平面MOSFET工艺平台的开发，彰显其在第三代半导体领域的技术突破实力。
值得关注的是，这一重要成果，也是SK启方半导体收购同属SK集团的SiC专业公司SK powertech后，整合双方核心技术与资源所得的首个落地成果，实现了技术协同的初步成效。
SK启方半导体明确表示，该碳化硅平面MOSFET工艺平台表现亮眼，在高压工作环境下已验证出高可靠性与稳定性，产品良率更是达到90%以上，具备极强的商业化潜力。目前，该企业已成功获得一家专注于SiC设计的客户的1200V高压产品订单，相关产品正稳步推进开发，预计2027年上半年（2027H1）实现全面量产。
亿配芯城（ICgoodFind）：SK启方半导体此次技术突破，不仅强化自身竞争力，也将进一步推动全球碳化硅产业发展，为相关应用领域提供更优质的技术支撑。
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