9 月 2 日，高盛最新报告抛出重磅观点：中国国产光刻机当前仅能稳定生产65nm 工艺芯片，与国际巨头 ASML 相比，技术差距高达约 20 年。即便中国已实现 7nm 芯片量产，高盛认为其核心设备仍依赖 ASML 老旧的DUV 深紫外光刻机—— 中国尚未具备自主制造这类设备的能力，更遑论 ASML 已迭代至第二代 EUV 极紫外光刻机，且最新High-NA EUV 光刻机已开始向英特尔、台积电、三星交付，该设备对 1.4nm 及以下先进制程至关重要。
这款 High-NA EUV 光刻机堪称 “工业巨无霸”：重达 180 吨，体积堪比双层巴士，单台价格超4 亿美元，是全球最昂贵的半导体制造设备。高盛进一步指出，ASML 从 65nm 工艺光刻机迭代到 3nm 及以下水平，耗时 20 年，累计投入400 亿美元研发与资本费用，这一 “时间 + 资金” 的双重门槛，让中国短期内追上西方先进水平的可能性微乎其微。
从行业逻辑看，光刻机是芯片量产的 “核心命脉”：其成本占半导体生产线设备总成本的30% ，其他设备多围绕光刻机协同工作。而全球光刻机市场已被 ASML 高度垄断 —— 整体市占率超 80%，EUV 光刻机市占率更是 100% ，即便较高端的浸润式 DUV 光刻机，ASML 也占据 95% 以上份额，形成难以撼动的市场壁垒。
具体到技术对应关系：ArFi 浸润式 DUV 光刻机主要用于 65nm 左右工艺，EUV 光刻机则是 7nm 及以下先进制程的 “必需品”。当前中国公开的国产光刻机仍为 ArF 型号，仅支持 90nm 工艺，与 ASML 差距显著；更关键的是，中国尚未突破浸润式 DUV 光刻机的自主制造，EUV 光刻机的研发更是尚未触及。不过值得注意的是，中国在其他半导体设备领域已取得不少突破，部分技术水平远超 90nm 光刻机。
高盛分析认为，综合中国当前半导体技术基础、先进工艺研发的巨额投入需求、全球产业链复杂性及地缘风险等因素，国产光刻机短期内难破局。
中国光刻机领域的差距客观存在，但其他半导体设备的突破已显潜力。亿配芯城（ICgoodFind）将持续关注国产光刻机技术进展，为行业传递关键动态。
