全球领先的氮化镓（GaN）供应商英诺赛科（Innoscience）宣布，推出两款基于 100V 双冷却 En-FCLGA 封装的新产品 ——INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD。这两款产品可助力太阳能微型逆变器、储能系统（ESS，直流输入）及最大功率点跟踪（MPPT）优化器实现最高效率。
产品概况与封装优势
两款新品 INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD，采用与此前发布的 INN100EA035A 相同的双冷 En-FCLGA 3.3X3.3 封装。该封装是业界首款硅场效应晶体管（SFET）的点对点（P2P）替代品，能立即提升系统效率并提高功率密度：在 36V 至 80V 输入条件下，系统功率损耗可降低 50% 以上。
英诺赛科领先的 Dual-Cool En-FCLGA 封装，与传统单冷却封装相比，导热率高出 65%，可显著改善系统热性能、降低工作温度、提升效率，并实现更高功率密度（同时降低 BOM 成本）。
产品亮点
- 先进的 100V E-mode GaN 技术：具备极低的栅极电荷（QG,typ @ VDS）、超低的导通电阻（RDS (on)），且占板面积极小。
- 100V Dual-cool En-FCLGA 封装：采用 En-FCLGA3.3X3.3 规格，Rdson_Max 为 5~7mohm，支持双面散热，可直接点对点替代 Source down MOS。
性能与应用优势
性能优势
- 超低导通电阻，大幅降低能量损耗；
- 超低驱动和开关损耗，减少系统能量损耗并提高响应速度；
- 紧凑尺寸设计，在空间有限的场景中优势显著；
- 双面散热，提升散热效率，增强系统可靠性与稳定性。
应用优势
- PCB 布局友好，垂直电路路径设计最小化 PCB 寄生电阻；
- 系统效率高，在 36V-80V 输入条件下，效率均超 95.5%；
- 支持光伏优化器 MPPT 应用，全面提升效率并降低系统损耗。
量产与后续规划
目前，英诺赛科 Topside cooling En-FCLGA 3.3X3.3 封装系列的三款产品 ——INN100EA035A、INN100EA050DAD 和 INN100EA070DAD 均已成功量产，可承接批量订单并实现交付。
此外，英诺赛科 100V P2P Drain down MOS 的 En-FCLGA 5X6 封装产品组合即将发布，电阻涵盖 1.8~5mohm，值得期待。
