7 月 26 日消息，据 IP Fray 昨天报道，德国芯片厂商英飞凌在与中国国产氮化镓芯片龙头英诺赛科的美国专利侵权诉讼中，于 2024 年 7 月 23 日修改了起诉内容。其中关键的变化是起诉英诺赛科的专利数量由起初的 1 件，大幅增加至 4 件。
早在 2024 年 3 月 13 日，英飞凌（奥地利子公司）就向美国加利福尼亚北区地方法院起诉英诺赛科侵犯其一项美国专利 US9,899,481。此专利涉及一种横向晶体管装置和具有源感应功能的软件包，例如安装在表面贴装器件 (SMD) 中的横向高电子迁移率晶体管 (HEMT)，封装可提供源感应功能，以排除寄生源电感，而这种寄生源电感会导致在开关速度较高时，能量损耗可能会增加。
在原始起诉书中，英飞凌指控英诺赛科复制了其专利技术，并给出了清晰的对比图示。例如，英飞凌认为英诺赛科的被控产品包括将源极焊盘（57）耦合到管芯焊盘（43）的多个接合线（61）。被控产品还包括 Kelvin Source（KS），它采用了获得专利的 Source Sensing（48）功能（SS），可提高性能。
与原始起诉书类似，英飞凌此次修改后的起诉书，在新增加的 3 个专利中，也给出了相对明晰的侵权比对。
新增专利 1 为 US8,686,562（’562 号专利），发明名称为“耐火金属氮化物封端电触点及其制作方法”。’562 号专利涉及一种用于半导体器件（如 GaN 功率晶体管或使用至少一种 III 族元素（如 Ga）和一种 V 族元素（如氮）制造的其他半导体功率器件（“III-V 功率半导体器件”）的电触点，并促进与传统 IV 族半导体器件的兼容性和集成，如使用硅制造的器件。’562 专利总体上描述了一种新型的难熔金属氮化物覆盖的电触点，其提供了优于传统技术的优点，包括提高的成本效益以及更容易、更有效地集成 III-V 族功率半导体器件和硅器件。英飞凌认为'562 专利指控的英诺赛科产品包括电极堆叠（漏极接触焊盘金属），其包括厚度大于最底部 Ti 层的氮化钛（“TiN”）覆盖层。
新增专利 2 是 US9,070,755（’755 号专利），发明名称为“具有高漏极指端的晶体管”。’755 号专利描述了适用于高端电场的功率晶体管中的漏极指状电极的实现。可以实现增加的击穿电压，同时通过更短的源极到漏极半间距保持较低的比导通电阻。英飞凌认为’755 号专利指控的英诺赛科产品包括漏极指状电极（620b），其具有漏极指形电极主体（624b）和漏极指电极端部（626b），该漏极指式电极端部具有与漏极指型电极主体不共面的部分。
新增专利 3 为 US8,264,003（’003 号专利），发明名称为“合并共源共栅晶体管”。’003 号专利涉及一种具有栅极（G）的晶体管，其用于控制漏极（D）和源极（S）之间流动的电流。它解决了在高压和/或高速开关应用中使用传统晶体管时可能出现的挑战。英飞凌认为’003 号专利指控的英诺赛科产品包括一个晶体管，其第一部分 Q1 和第二部分 Q2 以合并的共源共栅几何形状串联，并具有一个源极连接的第二栅极，该栅极包括一个场板。
值得注意的是，这起诉讼的时间点，刚好发生在英诺赛科拟登陆资本市场的前后。
