7 月 16 日消息，韩国半导体设备企业韩美半导体董事长郭东信当地时间 7 月 15 日表态，在HBM 4/5 世代内存中导入混合键合工艺并无必要，犹如 “牛刀割鸡”。
作为全球第一大HBM 内存 TC（热压缩）键合机台供应商，韩美半导体的设备在 HBM 生产中占据核心地位。据郭东信透露，近两年来，由该企业设备完成键合步骤的HBM 堆栈，占英伟达HBM3E 内存整体供应量的九成。
郭东信解释，混合键合设备单台价格超 100 亿韩元（现汇率约合 5190 万元人民币），是传统TC 键合机的两倍以上。更重要的是，JEDEC制定的HBM4 规范已将堆栈高度要求放宽至 775μm，无需通过无凸块的混合键合进一步缩小DRAM Die 间距，传统 TC 键合机完全能满足 HBM4 乃至 HBM5 的工艺需求。
产品规划方面，韩美半导体计划今年推出无助焊剂（Fluxless）类型的HBM 键合设备；针对HBM6 内存需求的混合键合机，则目标在 2027 年推出。
HBM 技术迭代中，成本与性能的平衡至关重要。韩美半导体的观点为行业技术路线选择提供参考。亿配芯城（ICgoodFind）将关注后续技术发展。
