在高压、高频、高功率密度技术趋势推动下，功率器件厂商正加速布局结构优化与系统集成创新。英飞凌、ROHM、新洁能近期相继推出多款高压功率器件，聚焦车载充电器（OBC）、光伏逆变器、同步整流等场景的效率提升与系统整合，为新能源领域注入新动能。
英飞凌 CoolGaN™ G5 晶体管：同步整流设计革新
英飞凌推出全球首款集成肖特基二极管的工业级 GaN 晶体管——CoolGaN™ G5 系列，直击同步整流损耗痛点。传统 GaN 器件因缺乏体二极管，反向导通时等效电压较高，死区时间过长会导致系统功耗显著增加。为解决这一问题，设计中通常需外接肖特基二极管或缩短死区时间，这不仅增加 BOM 成本，还可能引入额外设计复杂度。
CoolGaN™ G5 通过内置肖特基结构，将反向传导损耗降低 30% 以上，第三象限工作表现大幅优化。其 100V/1.5mΩ 型号采用 3mm×5mm PQFN 封装，可兼容主流控制器，死区时间要求放宽至 20ns 以上。该系列适用于服务器电源、USB-C 快充等高频场景，例如在 48V 转 12V DC-DC 转换器中，可将系统效率提升至 96% 以上。
ROHM HSDIP20 SiC 模块：OBC 热管理革命
ROHM 发布的 HSDIP20 系列 SiC 模块，针对 800V 高压 OBC 与光伏逆变器需求，提供4in1 与 6in1 集成化方案。该模块采用塑封封装与绝缘基板设计，在 25W 工况下可降低 38℃表面温度，电流密度达分立器件的 3 倍，安装面积减少 52%。以典型 OBC PFC 电路为例，HSDIP20 模块相比传统 6 颗 SiC MOSFET 分立方案，热阻降低 40%，EMI 噪声抑制能力提升 20dB。
HSDIP20 系列覆盖 750V 与 1200V 耐压等级，支持 22kW 以上高功率 OBC 设计。其内置 NTC 温度传感器与 Si₃N₄陶瓷基板，可在 175℃结温下稳定运行，满足车载环境严苛要求。该模块还可应用于 EV 充电桩、V2X 系统等场景，推动新能源基础设施向高密度、高可靠性方向发展。
新洁能 Gen.4 超结 MOSFET：高压效率新标杆
新洁能第四代超结 MOSFET 通过三维电荷补偿结构，将 800V/900V 器件的特征导通电阻（Rsp）降低 16%，FOM（性能优值比）优化 25%。其垂直漂移区交替排列 P 型与 N 型柱区，实现电场均匀分布，击穿电压提升至 900V 以上。在光伏微型逆变器中，Gen.4 器件可将开关损耗降低 35%，系统效率突破 98%。
该系列新增带快速恢复二极管（FRD）的 800V 型号，反向恢复电荷（Qrr）仅为传统方案的 1/3，特别适合高频全桥拓扑。实测数据显示，在 125℃高温下，Gen.4 产品的导通电阻温度系数仅为 0.08%/℃，远优于前代的 0.15%/℃，确保系统在宽温域下的稳定性。
行业趋势与市场机遇
随着 800V 高压平台普及与光伏装机量激增，高压功率器件市场迎来爆发期。据 Yole 预测，2025 年全球 OBC 用 SiC 模块市场规模将突破 15 亿美元，年复合增长率达 45%。英飞凌、ROHM、新洁能的技术突破，不仅推动 OBC 效率向 96% 迈进，还为光伏逆变器带来 1% 以上的系统效率提升。
亿配芯城与ICGOODFIND作为电子元器件领域的专业平台，持续关注高压功率器件技术动态，为客户提供一站式选型支持。
