9月14日消息，氮化镓（GaN）半导体领域的知名厂商Navitas正采取战略举措，扩大其在欧洲和美国的氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率器件生产能力。这一举措旨在减少对中国台湾地区的依赖。
目前，该公司依赖于中国台湾半导体制造公司（TSMC）在新竹的Fab 2，该工厂配备了用于GaN生产的0.5微米加工设备。此外，Navitas还在欧洲利用位于德克萨斯州拉巴克的X-Fab进行SiC生产。
Navitas的企业营销与投资者关系副总裁Stephen Oliver就其扩张战略发表了评论，他表示：“对于台积电的GaN和德克萨斯州X-Fab的SiC，探索可改造旧工厂的替代来源是有意义的。在美国，有大约40家现有的6英寸或8英寸晶圆工厂，拥有高技能的工人。我们还积极寻求欧洲市场的机会。”
Oliver强调了他们寻求合作而非建立固定设施的意图，他说：“我们不在寻找固定成本。最有可能的情况是与现有的晶圆工厂合作，但你确实需要一些尖端的人才来使其发挥作用。”此外，他透露了Navitas进军高功率SiC模块市场的计划，并补充说：“通过收购VDD Tech，我们还获得了数字隔离技术，为构建更高功率模块奠定了基础。”
Navitas的战略推动，将其氮化镓和碳化硅功率器件生产能力扩展至中国台湾和中国大陆以外地区，表明其致力于多元化供应链，并满足全球对先进半导体解决方案不断增长的需求。这一举措将使Navitas能够开拓欧洲和美国市场的巨大潜力，同时促进功率电子领域的创新。
