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价格(含税)
资料
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6024KNZ1C9 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 24 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 5 V 新208610+￥10.4160100+￥9.8952500+￥9.54801000+￥9.53062000+￥9.46125000+￥9.37447500+￥9.305010000+￥9.2702 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6030KNX 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 A, 600 V, 0.115 ohm, 10 V, 5 V 新37515+￥19.948550+￥19.0960200+￥18.6186500+￥18.49931000+￥18.37992500+￥18.24355000+￥18.15837500+￥18.0730 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6020KNZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 5 V 新17915+￥19.620950+￥18.7824200+￥18.3128500+￥18.19551000+￥18.07812500+￥17.94395000+￥17.86017500+￥17.7762 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6015ENZC8 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 15 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 4 V 新37055+￥17.140550+￥16.4080200+￥15.9978500+￥15.89531000+￥15.79272500+￥15.67555000+￥15.60237500+￥15.5290 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6007ENJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 4 V 新44665+￥3.442525+￥3.187550+￥3.0090100+￥2.9325500+￥2.88152500+￥2.81785000+￥2.792310000+￥2.7540 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6011KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 600 V, 0.34 ohm, 10 V, 5 V 新72895+￥19.831550+￥18.9840200+￥18.5094500+￥18.39081000+￥18.27212500+￥18.13655000+￥18.05187500+￥17.9670 -
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品类: 中高压MOS管描述: ROHM R6007KNJTL 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7 A, 600 V, 0.57 ohm, 10 V, 5 V 新775110+￥10.1280100+￥9.6216500+￥9.28401000+￥9.26712000+￥9.19965000+￥9.11527500+￥9.047710000+￥9.0139 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF190N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20.2 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 2.5 V87125+￥12.402050+￥11.8720200+￥11.5752500+￥11.50101000+￥11.42682500+￥11.34205000+￥11.28907500+￥11.2360 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPB60R099CPATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31 A, 650 V, 0.09 ohm, 10 V, 3 V11221+￥46.921210+￥44.2290100+￥42.2291250+￥41.9214500+￥41.61371000+￥41.26762500+￥40.95995000+￥40.7676 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 800 V, 1.29 ohm, 10 V, 5 V976410+￥7.2960100+￥6.9312500+￥6.68801000+￥6.67582000+￥6.62725000+￥6.56647500+￥6.517810000+￥6.4934 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFP27N60KPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道52745+￥28.431050+￥27.2160200+￥26.5356500+￥26.36551000+￥26.19542500+￥26.00105000+￥25.87957500+￥25.7580 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STP43N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 34 A, 600 V, 0.085 ohm, 10 V, 4 V 新26635+￥26.991950+￥25.8384200+￥25.1924500+￥25.03101000+￥24.86952500+￥24.68495000+￥24.56967500+￥24.4542 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQPF7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V196010+￥10.1160100+￥9.6102500+￥9.27301000+￥9.25612000+￥9.18875000+￥9.10447500+￥9.037010000+￥9.0032 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCPF400N80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 0.34 ohm, 10 V, 4.5 V98845+￥15.034550+￥14.3920200+￥14.0322500+￥13.94231000+￥13.85232500+￥13.74955000+￥13.68537500+￥13.6210 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP7N80C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.6 A, 800 V, 1.57 ohm, 10 V, 5 V960410+￥8.6880100+￥8.2536500+￥7.96401000+￥7.94952000+￥7.89165000+￥7.81927500+￥7.761310000+￥7.7323 -
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品类: 中高压MOS管描述: SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。28295+￥25.599650+￥24.5056200+￥23.8930500+￥23.73981000+￥23.58662500+￥23.41165000+￥23.30227500+￥23.1928 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP8N60C 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 7.5 A, 600 V, 1 ohm, 10 V, 4 V550010+￥8.1840100+￥7.7748500+￥7.50201000+￥7.48842000+￥7.43385000+￥7.36567500+￥7.311010000+￥7.2838 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPW17N80C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V95255+￥22.101350+￥21.1568200+￥20.6279500+￥20.49571000+￥20.36342500+￥20.21235000+￥20.11797500+￥20.0234 -
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品类: 中高压MOS管描述: STMICROELECTRONICS STW48N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 40 A, 600 V, 0.065 ohm, 10 V, 4 V 新61875+￥17.795750+￥17.0352200+￥16.6093500+￥16.50291000+￥16.39642500+￥16.27475000+￥16.19877500+￥16.1226 -
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品类: 中高压MOS管描述: N 通道 MDmesh DM2 系列，STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间，可提高效率，此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力，可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics15965+￥26.769650+￥25.6256200+￥24.9850500+￥24.82481000+￥24.66462500+￥24.48165000+￥24.36727500+￥24.2528 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 V 新55675+￥19.071050+￥18.2560200+￥17.7996500+￥17.68551000+￥17.57142500+￥17.44105000+￥17.35957500+￥17.2780 -
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品类: 中高压MOS管描述: VISHAY IRFBF20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V75145+￥5.278525+￥4.887550+￥4.6138100+￥4.4965500+￥4.41832500+￥4.32065000+￥4.281510000+￥4.2228 -
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品类: 中高压MOS管描述: FUJI ELECTRIC FMV20N60S1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 0.161 ohm, 10 V, 3 V25765+￥29.694650+￥28.4256200+￥27.7150500+￥27.53731000+￥27.35962500+￥27.15665000+￥27.02977500+￥26.9028 -
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品类: 中高压MOS管描述: 功率MOSFET Power MOSFET45605+￥12.156350+￥11.6368200+￥11.3459500+￥11.27321000+￥11.20042500+￥11.11735000+￥11.06547500+￥11.0134 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD1N80TM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V52495+￥2.254525+￥2.087550+￥1.9706100+￥1.9205500+￥1.88712500+￥1.84545000+￥1.828710000+￥1.8036 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPB65R110CFDATMA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 31.2 A, 700 V, 0.099 ohm, 10 V, 4 V257210+￥7.0080100+￥6.6576500+￥6.42401000+￥6.41232000+￥6.36565000+￥6.30727500+￥6.260510000+￥6.2371 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON IPW90R1K0C3FKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.7 A, 900 V, 1 ohm, 10 V, 3 V690310+￥11.5200100+￥10.9440500+￥10.56001000+￥10.54082000+￥10.46405000+￥10.36807500+￥10.291210000+￥10.2528 -
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品类: 中高压MOS管描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB20N60 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 600 V, 150 mohm, 10 V, 5 V278610+￥7.7400100+￥7.3530500+￥7.09501000+￥7.08212000+￥7.03055000+￥6.96607500+￥6.914410000+￥6.8886 -
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品类: 中高压MOS管描述: INFINEON SPP17N80C3XKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 V52905+￥26.523950+￥25.3904200+￥24.7556500+￥24.59701000+￥24.43832500+￥24.25695000+￥24.14367500+￥24.0302
