简介：Wolfspeed strives for efficiency and high performance with regards to wireless technology, which is evidenced in their innovative SiC Power and GaN RF solutions. After carrying out the most field testing in the industry, they have become the leaders in wide bandgap semiconductor technology. Wolfspeed vouches for the performance of their silicon carbide solutions, promising a decrease in switching loss and greater reliability.
描述:
IC AMP RF LDMOS H-36265-2
2747
描述:
IC AMP RF LDMOS H-37248-4
8524
描述:
Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed 一系列 Wolfspeed SiC（碳化硅）肖特基二极管相对于标准的肖特基势垒二极管实现了显著改善。 SiC 二极管提供更高的击穿场强度和更高的导热性，在较高的切换频率下可显著减少功率损耗。 SiC 二极管是高效、高压应用（如开关模式电源和高速逆变器）下的完美选择。 600、650、1200 和 1700 电压额定值 零反向恢复电流和正向恢复电压 温度独立的切换行为 极快的切换时间，损耗最小 正温度系数正向电压 设备可并联，无需进行热耗散 降低了对散热片的要求 专为用于 PFC 升压二极管应用进行优化 ### 二极管和整流器，Cree Wolfspeed
9872
描述:
RF JFET Transistors DC-6GHz 30W GaN Gain@ 4GHz 15dB
5663
描述:
RF JFET Transistors DC-6GHz 120W GaN Gain@ 4GHz 13dB
4392
描述:
350W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
4861
描述:
RF SIC HEMT 340W,2620 - 2690MHZ
7387
描述:
600W GAN HEMT 50V 1.2-1.4GHZ FET
8294
描述:
晶体管, MOSFET, SiC, N沟道, 23 A, 900 V, 0.12 ohm, 15 V, 2.1 V
2094
描述:
射频开发工具 Test Board with GaN HEMT
9560
描述:
800W 1200-1400MHz Gan Hemt
6357
描述:
Trans FET 125V 12A GaN HEMT
4537
描述:
RF JFET Transistors DC-18GHz 6W GaN Gain@10GHz 17dB
6530
描述:
射频开发工具 Test Board without GaN HEMT
8547
描述:
RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
2977
描述:
DIODE SCHOTTKY 1.2kV 19A TO252-2
8435
描述:
DIODE SCHOTTKY 1200V 5A
5628
描述:
Enhanced High Power RF LDMOS FETs
7789
描述:
Test Fixture For Cghv96100f2
1305
描述:
Test Fixture For Cghv40100p
4812
描述:
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 400 Watt
6470
描述:
WOLFSPEED CCS020M12CM2 单晶体管 双极, Six N Channel, 29.5 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, 20 V, 2.2 V
8107
描述:
碳化硅功率MOSFET, N沟道, 22 A, 1 kV, 0.12欧姆, 15 V, 2.1 V
6052
描述:
WOLFSPEED C3D08065A 二极管, 碳化硅肖特基, Z-Rec 650V系列, 单, 650 V, 11 A, 20 nC, TO-220
4873
描述:
Z-Rec™ 碳化硅肖特基二极管，Wolfspeed 一系列 Wolfspeed SiC（碳化硅）肖特基二极管相对于标准的肖特基势垒二极管实现了显著改善。 SiC 二极管提供更高的击穿场强度和更高的导热性，在较高的切换频率下可显著减少功率损耗。 SiC 二极管是高效、高压应用（如开关模式电源和高速逆变器）下的完美选择。 600、650、1200 和 1700 电压额定值 零反向恢复电流和正向恢复电压 温度独立的切换行为 极快的切换时间，损耗最小 正温度系数正向电压 设备可并联，无需进行热耗散 降低了对散热片的要求 专为用于 PFC 升压二极管应用进行优化 ### 二极管和整流器，Cree Wolfspeed
1166
描述:
Diode Schottky 600V 7A 2Pin(2+Tab) TO-220
4263
描述:
EVAL BOARD FOR CRF24060
5273
描述:
评估板, 用于所有C2M SiC Mosfet门驱动器, 适合评估IXDN609Sl
6773
描述:
IC AMP 5.5GHZ-8.5GHZ 30W
7780
描述:
Test Fixture For Cmpa1d1e025f
8898
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