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型号: STW33N60DM2
描述: N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDS(on) 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。 高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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封 装: TO-247-3
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包装方式: Tube
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.11 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

190 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

600 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

25A

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1870pF @100V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

190W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-247-3

 

外形尺寸/长度:

15.75 mm

 

外形尺寸/宽度:

5.15 mm

 

外形尺寸/高度:

20.15 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-247-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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