技术参数/额定电压(DC)： | 800 V |
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技术参数/额定电流： | 8.00 A |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 1.29 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 178 W |
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技术参数/阈值电压： | 5 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 800 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 800 V |
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技术参数/栅源击穿电压： | ±30.0 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 8.00 A |
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技术参数/上升时间： | 110 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 2050pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 178 W |
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技术参数/下降时间： | 70 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 178W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.1 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 9.4 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 150℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/06/15 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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STP5NK80Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，700V 至 1200V，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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FDP18N50
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
FDP18N50 系列 500 V 265 mOhm 法兰安装 N沟道 MOSFET - TO-220-3
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