技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 5 Ω
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/阈值电压: 2.1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 20pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 400 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 400 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
其他/制造应用: 音频, 信号处理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000
|
Diodes (美台) | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
2N7000
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
2N7000
|
TI (德州仪器) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
|||
|
|
Suptertex | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
|||
|
|
Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
2N7000
|
NTE Electronics | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
2N7000
|
Calogic | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
|
2N7000
|
InterFET | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
|||
2N7000
|
Major Brands | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
|||
2N7000
|
Diotec Semiconductor | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
2N7000
|
UTC (友顺) | 功能相似 | TO-92 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
|
2N7000
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
|||
2N7000
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR 2N7000 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.1 V
|
||
2N7000-D74Z
|
ON Semiconductor (安森美) | 完全替代 | TO-92-3 |
2N7000 系列 60 V 5 Ohms N沟道 增强模式 场效应晶体管 - TO-92-3
|
||
|
2N7000-G
|
Suptertex | 功能相似 |
N-沟道 60 V 5 Ohm 1 W 通孔 功率 Mosfet - TO-92
|
|||
|
2N7000G
|
Supertex (超科) | 功能相似 | TO-92 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
|
||
2N7000RLRAG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92-3 |
N 通道功率 MOSFET，60V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
|
||
2N7000RLRMG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
|
||
2N7000RLRPG
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-92-3 |
小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS
|
||
BS170P
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | TO-92-3 |
BS170 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
|
||
BS170P
|
Diodes (美台) | 功能相似 | TO-92-3 |
BS170 系列 60 V 5 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET- TO-92
|
||
BSS123TA
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23-3 |
DIODES INC. BSS123TA 晶体管, MOSFET, N沟道, 170 mA, 100 V, 6 ohm, 10 V, 2.2 V
|
||
ZVN2106A
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
||
ZVN2106A
|
Diodes (美台) | 功能相似 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
||
|
|
Zetex | 功能相似 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
||
ZVN3320FTA
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOT-23-3 |
N沟道,Vdss=200V,Idss=60mA
|
||
ZVN4206A
|
Zetex | 功能相似 | TO-92-3 |
ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
|
||
ZVN4206A
|
Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | TO-92-3 |
ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
|
||
ZVP1320FTA
|
Diodes (美台) | 功能相似 | SOT-23-3 |
ZVP1320FTA 编带
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价