技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 200 mA
技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 5 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 350 mW
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 200 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 60pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 350 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 350mW (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.2 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000G
|
Supertex (超科) | 类似代替 | TO-92 |
ON SEMICONDUCTOR 2N7000G 晶体管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 60 V, 5 ohm, 10 V, 3 V
|
||
|
2N7000RLRA
|
Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
小信号MOSFET 200毫安， 60伏N沟道TO- 92 200毫安60伏 Small Signal MOSFET 200 mAmps, 60 Volts N−Channel TO−92 200 mAMPS 60 VOLTS
|
|||
2N7000RLRMG
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-226-3 |
小信号N沟道TO-92-3封装场效应管
|
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