技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 270 mA
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 5 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 270 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 60pF @10V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625mW (Ta)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/封装: TO-92-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
其他/制造应用: 国防, 军用与航空, 电源管理, 车用
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/军工级: Yes
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
ZVN2106A
|
Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
||
ZVN2106A
|
Diodes (美台) | 类似代替 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
||
|
|
Zetex | 类似代替 | TO-92-3 |
DIODES INC. ZVN2106A 晶体管, MOSFET, N沟道, 450 mA, 60 V, 2 ohm, 10 V, 2.4 V
|
||
ZVN2110ASTZ
|
Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-92-3 |
场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC
|
||
ZVN2110ASTZ
|
Zetex | 类似代替 | TO-92-3 |
场效应管(MOSFET) ZVN2110ASTZ EP3SC
|
||
ZVN4206A
|
Zetex | 类似代替 | TO-92-3 |
ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
|
||
ZVN4206A
|
Diodes Zetex (捷特科) | 类似代替 | TO-92-3 |
ZVN4206A 系列 60 V 1 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET - TO-92
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价