技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 70 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 620 V
技术参数/上升时间: 9 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 550pF @50V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 70 W
技术参数/下降时间: 19 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 70W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 10.75 mm
外形尺寸/封装: TO-262-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STF4N62K3
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics
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STH180N10F3-2
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
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STU4N62K3
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TO-251-3 |
STMICROELECTRONICS STU4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
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