技术参数/漏源极电阻: 1.7 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 25 W
技术参数/阈值电压: 3.75 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 620 V
技术参数/上升时间: 9 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 550pF @50V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 25 W
技术参数/下降时间: 19 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.4 mm
外形尺寸/宽度: 4.6 mm
外形尺寸/高度: 16.4 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STH180N10F3-2
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
||
STP150N3LLH6
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ST Microelectronics (意法半导体) | 类似代替 | TO-220-3 |
N沟道30 V ， 0.0024欧姆， 80 A， DPAK ， IPAK ， TO- 220 N-channel 30 V, 0.0024 ohm , 80 A, DPAK, IPAK, TO-220
|
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