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型号: STH180N10F3-2
描述: N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数:

4

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0039 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

315 W

 

技术参数/阈值电压:

2 V

 

技术参数/输入电容:

6665 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/上升时间:

97.1 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

6665pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

315 W

 

技术参数/下降时间:

6.9 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

315W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

15.8 mm

 

外形尺寸/宽度:

10.4 mm

 

外形尺寸/高度:

4.8 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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