技术参数/针脚数： | 4 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.0039 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 315 W |
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技术参数/阈值电压： | 2 V |
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技术参数/输入电容： | 6665 pF |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/上升时间： | 97.1 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 6665pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 315 W |
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技术参数/下降时间： | 6.9 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 315W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 4 |
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封装参数/封装： | TO-263-3 |
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外形尺寸/长度： | 15.8 mm |
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外形尺寸/宽度： | 10.4 mm |
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外形尺寸/高度： | 4.8 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-263-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STF4N62K3
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
N 通道 MDmesh™ K3 系列，SuperMESH3™, STMicroelectronics
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STU4N62K3
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-251-3 |
STMICROELECTRONICS STU4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
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