技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 330 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 60.0 A
技术参数/上升时间: 65 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 6750pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 330 W
技术参数/下降时间: 15 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 330W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.75 mm
外形尺寸/宽度: 10.4 mm
外形尺寸/高度: 4.6 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDB031N08
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3
|
||
STP160N75F3
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价