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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 3.5 mΩ |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 330 W |
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技术参数/阈值电压： | 4 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 75 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 60.0 A |
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技术参数/上升时间： | 65 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 6750pF @25V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 330 W |
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技术参数/下降时间： | 15 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 330W (Tc) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.4 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.6 mm |
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外形尺寸/高度： | 15.75 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Industrial, Power Management |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FDP047AN08A0
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-220-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP047AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 75 V, 0.004 ohm, 10 V, 4 V
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IRFB3307ZPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-220-3 |
75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
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IFC | 功能相似 |
75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
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IRFB3307ZPBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-220-3 |
75V,5.8mΩ,120A,N沟道功率MOSFET
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STB160N75F3
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ST Microelectronics (意法半导体) | 完全替代 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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