技术参数/额定功率: 230 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.0058 Ω
技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 230 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 4750 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 120A
技术参数/上升时间: 64 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 4750pF @50V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 230 W
技术参数/下降时间: 65 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 230W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.66 mm
外形尺寸/宽度: 4.82 mm
外形尺寸/高度: 9.02 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: 工业, Power Management, 电源管理, Battery Operated Drive, Industrial
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFB3307ZPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB3307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
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|
IFC | 类似代替 |
INFINEON IRFB3307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
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|||
IRFB3307ZPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-220-3 |
INFINEON IRFB3307ZPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 5.8 mohm, 10 V, 4 V
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IRFZ14PBF
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 |
功率MOSFET Power MOSFET
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IRFZ14PBF
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LiteOn (光宝) | 功能相似 | TO-220-3 |
功率MOSFET Power MOSFET
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|
IRFZ14PBF
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Vishay Precision Group | 功能相似 | TO-220 |
功率MOSFET Power MOSFET
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STP140NF75
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP140NF75 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 7.5 mohm, 10 V, 4 V
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STP160N75F3
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP160N75F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 75 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V
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