技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 375 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 235A
技术参数/上升时间: 191 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 15160pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 375 W
技术参数/下降时间: 121 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 375W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.67 mm
外形尺寸/宽度: 11.33 mm
外形尺寸/高度: 4.83 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
PSMN008-75B,118
|
Nexperia (安世) | 功能相似 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 75V 75A
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||
PSMN008-75B,118
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 75V 75A
|
||
STB160N75F3
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
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