技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.9W (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.80 A
技术参数/耗散功率(Max): 1.9W (Ta)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SO-8
外形尺寸/封装: SO-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI7454DP-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.028Ω; ID 5A; PowerPAK SO-8; PD 1.9W; -55deg
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SI7454DP-T1-E3
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Vishay Intertechnology | 类似代替 | PowerPAK SO |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.028Ω; ID 5A; PowerPAK SO-8; PD 1.9W; -55deg
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SI7454DP-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | PowerPAKSO-8 |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.028Ω; ID 5A; PowerPAK SO-8; PD 1.9W; -55deg
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SIR432DP-T1-GE3
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Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 |
MOSFET 100V 28.4A 54W 30.6mohm @ 10V
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SIR432DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET 100V 28.4A 54W 30.6mohm @ 10V
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SIR432DP-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | PowerPAK |
MOSFET 100V 28.4A 54W 30.6mohm @ 10V
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