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型号： SIR432DP-T1-GE3
描述： VISHAY SIR432DP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 28.4A, 100V, 0.0255Ω, 10V, 4V
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品 牌： Vishay Semiconductor (威世)
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技术参数/漏源极电阻: 0.0255 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 5 W

技术参数/阈值电压: 4 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 28.4 A

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

封装参数/引脚数: 8

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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