技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 0.0255 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 5 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 28.4 A
技术参数/输入电容(Ciss): 1170pF @50V(Vds)
技术参数/下降时间: 8 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 5000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: PowerPAK
外形尺寸/封装: PowerPAK
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI7454DP-T1-E3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.028Ω; ID 5A; PowerPAK SO-8; PD 1.9W; -55deg
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||
SI7454DP-T1-E3
|
Vishay Intertechnology | 类似代替 | PowerPAK SO |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.028Ω; ID 5A; PowerPAK SO-8; PD 1.9W; -55deg
|
||
SI7454DP-T1-E3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 类似代替 | PowerPAKSO-8 |
MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.028Ω; ID 5A; PowerPAK SO-8; PD 1.9W; -55deg
|
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SI7454DP-T1-GE3
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VISHAY (威世) | 类似代替 | SOIC-8 |
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
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SI7454DP-T1-GE3
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Vishay Siliconix | 类似代替 | SO-8 |
MOSFET N-CH 100V 5A PPAK SO-8
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