技术参数/针脚数: 6
技术参数/漏源极电阻: 0.031 Ω
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 1.6 W
技术参数/阈值电压: 1 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 20 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): -5.20 A
技术参数/上升时间: 22 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1300pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.3 W
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.3 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: TSOP-6
外形尺寸/长度: 3.1 mm
外形尺寸/宽度: 1.7 mm
外形尺寸/高度: 1 mm
外形尺寸/封装: TSOP-6
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/最小包装: 3000
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDC602P
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC602P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 35 mohm, -4.5 V, -900 mV
|
||
FDC604P
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC604P 晶体管, MOSFET, P沟道, 5.5 A, -20 V, 33 mohm, -4.5 V, -700 mV
|
||
FDC638APZ
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TSOT-23-6 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDC638APZ. 场效应管, MOSFET, P沟道, -20V, 4.5A, SSOT-6
|
||
SI3445DV-T1-E3
|
VISHAY (威世) | 功能相似 | TSOP |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.6A 6Pin TSOP T/R
|
||
SI3445DV-T1-E3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TSOT-23-6 |
Trans MOSFET P-CH 8V 5.6A 6Pin TSOP T/R
|
||
SI3445DV-T1-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 |
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
|
|||
SI3445DV-T1-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | TSOT-23-6 |
MOSFET P-CH 8V 6-TSOP
|
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