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描述: P沟道1.8 -V (G -S )的MOSFET P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET
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技术参数/针脚数: 6

技术参数/漏源极电阻: 0.042 Ω

技术参数/极性: P-CH

技术参数/耗散功率: 2 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 8 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.6A

技术参数/上升时间: 50 ns

技术参数/额定功率(Max): 2 W

技术参数/下降时间: 60 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: TSOP

外形尺寸/封装: TSOP

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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