技术参数/针脚数： | 6 |
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技术参数/漏源极电阻： | 33 mΩ |
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技术参数/耗散功率： | 1.6 W |
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技术参数/阈值电压： | 700 mV |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 20 V |
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技术参数/上升时间： | 11 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 1926pF @10V(Vds) |
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技术参数/额定功率(Max)： | 800 mW |
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技术参数/下降时间： | 45 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.6 W |
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封装参数/安装方式： | Surface Mount |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | TSOT-23-6 |
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外形尺寸/长度： | 3 mm |
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外形尺寸/宽度： | 1.7 mm |
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外形尺寸/高度： | 1 mm |
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外形尺寸/封装： | TSOT-23-6 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tape & Reel (TR) |
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其他/制造应用： | 工业, 电源管理, Power Management, Industrial |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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FDC602P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
PowerTrench® P 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关，可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管，有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构，可提供电荷平衡。 利用这一先进技术，这些设备的 FOM（品质因素）显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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Rochester (罗切斯特) | 类似代替 | SOT |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC640P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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FDC640P
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | TSOT-23-6 |
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC640P, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
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