技术参数/耗散功率: 1.3W (Ta)
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/输入电容(Ciss): 250pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 1.3W (Ta)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: HexDIP-4
外形尺寸/封装: HexDIP-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLD110PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | DIP-4 |
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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IRLD110PBF
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Vishay Precision Group | 功能相似 |
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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IRLD110PBF
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VISHAY (威世) | 功能相似 | DIP-4 |
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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