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型号: IRLD110
描述: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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封 装: HexDIP-4
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/耗散功率: 1.3W (Ta)

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/输入电容(Ciss): 250pF @25V(Vds)

技术参数/耗散功率(Max): 1.3W (Ta)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/封装: HexDIP-4

外形尺寸/封装: HexDIP-4

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Obsolete

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Contains Lead

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