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首页   电子元器件分类   IRLD110PBF
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型号： IRLD110PBF
描述： MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 100V; RDS(ON) 0.54Ω; ID 1A; HD-1; PD 1.3W; VGS +/-10V; VF 2.
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品 牌： Vishay Precision Group
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10+:
￥ 6.7824
100+:
￥ 6.4433
500+:
￥ 6.2172
1000+:
￥ 6.2059
2000+:
￥ 6.1607
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技术参数/漏源极电阻: 0.76 Ω

技术参数/耗散功率: 1.3 W

技术参数/输入电容: 250pF @25V

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/漏源击穿电压: 100 V

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 4

外形尺寸/长度: 6.29 mm

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRLD110 IRLD110 IRF 功能相似 DIP-4
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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IRLD110 IRLD110 Vishay Siliconix 功能相似 HexDIP-4
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay Siliconix 功能相似 DIP-4
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HD-1, 4Pin
IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay Precision Group 功能相似
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HD-1, 4Pin
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IRLD110PBF IRLD110PBF VISHAY (威世) 功能相似 DIP-4
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HD-1, 4Pin
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IRLD120PBF IRLD120PBF Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 DIP
功率MOSFET Power MOSFET
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IRLD120PBF IRLD120PBF VISHAY (威世) 类似代替 DIP-4
功率MOSFET Power MOSFET
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IRLD120PBF IRLD120PBF Vishay Intertechnology 类似代替 DIP
功率MOSFET Power MOSFET
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