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技术参数/耗散功率： | 1300 mW |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 100 V |
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技术参数/上升时间： | 47 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 250pF @25V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 17 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | 55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 1.3W (Ta) |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | DIP-4 |
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外形尺寸/封装： | DIP-4 |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tube |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRLD110PBF
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Vishay Siliconix | 功能相似 | DIP-4 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1A I(D), 100V, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, HD-1, 4Pin
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IRLD110
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IRF | 功能相似 | DIP-4 |
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
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