技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 0.04 Ω
技术参数/耗散功率: 88 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 810 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 75 V
技术参数/上升时间: 70 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 810pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 88 W
技术参数/下降时间: 9 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 88W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 10.3 mm
外形尺寸/宽度: 9.4 mm
外形尺寸/高度: 4.5 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FDB031N08
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
FDB031N08 系列 75 V 3.1 mOhm N沟道 PowerTrench® MOSFET - D2PAK-3
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
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|||
PHB29N08T
|
NXP (恩智浦) | 功能相似 | D2PAK |
N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FET
|
||
PHB29N08T,118
|
NXP (恩智浦) | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 75 V, 0.04 ohm, 11 V, 4 V
|
||
PHB29N08T,118
|
Nexperia (安世) | 类似代替 | TO-263-3 |
晶体管, MOSFET, N沟道, 27 A, 75 V, 0.04 ohm, 11 V, 4 V
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