技术参数/额定电压(DC): 28.0 V
技术参数/额定电流: 950 mA
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/耗散功率: 307000 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 68 V
技术参数/漏源击穿电压: 68 V
技术参数/输出功率: 23.0 W
技术参数/增益: 14.5 dB
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-272
外形尺寸/长度: 23.67 mm
外形尺寸/宽度: 9.07 mm
外形尺寸/高度: 2.64 mm
外形尺寸/封装: TO-272
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF8S21100HSR3
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21100HSR3
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21120HR3
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 | NI-780 |
W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V
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MRF8S21120HR3
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-780H-2L |
W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 28W Avg., 28V
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MRF8S21120HSR3
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21120HSR3
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Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 | NI-780S |
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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