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描述: MOSFET RF N-CH 28V 700mA NI780S
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封 装: NI-780S
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

2.17 GHz

 

技术参数/无卤素状态:

Halogen Free

 

技术参数/输出功率:

24 W

 

技术参数/增益:

18.3 dB

 

技术参数/测试电流:

700 mA

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

NI-780S

 

外形尺寸/封装:

NI-780S

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
MRF8S21100HR3 MRF8S21100HR3 NXP (恩智浦) 完全替代 NI-780H-2L
Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 24W Avg., 28V
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MRF8S21100HR3 MRF8S21100HR3 Freescale (飞思卡尔) 完全替代 NI-780
Single W-CDMA, LTE Lateral N-Channel RF Power MOSFET, 2110-2170MHz, 24W Avg., 28V
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MRF8S21100HSR3 MRF8S21100HSR3 NXP (恩智浦) 功能相似 NI-780S
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21100HSR3 MRF8S21100HSR3 Freescale (飞思卡尔) 功能相似 NI-780S
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 100W, Typ Gain in dB is 18.3 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21120HSR3 MRF8S21120HSR3 NXP (恩智浦) 类似代替 NI-780S
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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MRF8S21120HSR3 MRF8S21120HSR3 Freescale (飞思卡尔) 类似代替 NI-780S
RF Power Transistor,2110 to 2170MHz, 107W, Typ Gain in dB is 17.6 @ 2170MHz, 28V, LDMOS, SOT1793
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