技术参数/频率: 30MHz ~ 500MHz
技术参数/耗散功率: 70 W
技术参数/漏源击穿电压: 65.0V (min)
技术参数/输出功率: 20 W
技术参数/增益: 13.5 dB
技术参数/测试电流: 25 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 28pF @28V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 70000 mW
技术参数/额定电压: 65 V
封装参数/安装方式: Flange
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: 319-07
外形尺寸/封装: 319-07
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
BLF245,112
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-123 |
Trans RF MOSFET N-CH 65V 6A 4Pin SOT-123A Bulk
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MRF136Y
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M/A-Com | 功能相似 | 319B-02 |
N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
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New Jersey Semiconductor | 功能相似 | 5 |
N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
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MRF166C
|
M/A-Com | 功能相似 | 319-07 |
MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
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MRF166C
|
M/A-Com | 功能相似 | 319-07 |
MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
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