技术参数/频率: 175 MHz
技术参数/额定电流: 6 A
技术参数/耗散功率: 68000 mW
技术参数/阈值电压: 4.5 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 65 V
技术参数/输出功率: 30 W
技术参数/增益: 15.5 dB
技术参数/测试电流: 50 mA
技术参数/输入电容(Ciss): 125pF @28V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 68000 mW
封装参数/安装方式: Screw
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: SOT-123
外形尺寸/高度: 7.47 mm
外形尺寸/封装: SOT-123
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 |
射频MOSFET线15W ，频率400MHz ， 28V The RF MOSFET Line 15W, to 400MHz, 28V
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MRF136
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M/A-Com | 功能相似 | 211-07 |
射频MOSFET线15W ，频率400MHz ， 28V The RF MOSFET Line 15W, to 400MHz, 28V
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MRF166C
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M/A-Com | 功能相似 | 319-07 |
MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
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MRF166C
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M/A-Com | 功能相似 | 319-07 |
MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
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