技术参数/频率： | 30MHz ~ 500MHz |
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技术参数/耗散功率： | 70 W |
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技术参数/漏源击穿电压： | 65.0V (min) |
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技术参数/输出功率： | 20 W |
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技术参数/增益： | 13.5 dB |
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技术参数/测试电流： | 25 mA |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 28pF @28V(Vds) |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -65 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 70000 mW |
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技术参数/额定电压： | 65 V |
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封装参数/安装方式： | Flange |
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封装参数/引脚数： | 6 |
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封装参数/封装： | 319-07 |
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外形尺寸/封装： | 319-07 |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Tray |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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海关信息/ECCN代码： | EAR99 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
MRF136Y
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M/A-Com | 功能相似 | 319B-02 |
N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
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New Jersey Semiconductor | 功能相似 | 5 |
N沟道MOS宽带射频功率场效应管 N-CHANNEL MOS BROADBAND RF POWER FET
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MRF166C
|
M/A-Com | 功能相似 | 319-07 |
MOSFET宽带射频功率FET MOSFET BROADBAND RF POWER FETs
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